买卖IC网 >> 产品目录43535 >> STH210N75F6-2 MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2 datasheet 分离式半导体产品
型号：

STH210N75F6-2

库存数量：可订货
制造商：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
STH210N75F6-2 PDF下载
标准包装 1,000
系列 STripFET™ DeepGATE™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 180A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 2.8 毫欧 @ 90A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 171nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 11800pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 H²PAK
包装 带卷 (TR)
其它名称 497-11251-2
相关资料
属性
链接
代理商 STH210N75F6-2
STH240N10F7-2
STH240N10F7-6
STH240N75F3-2
STH240N75F3-6
STH245N75F3-6
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北京芯时代电子科技发展有限公司 13610068393 栾文超
  • STH210N75F6-2 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,000 4.116 4116
    2,000 3.9102 7820.4
    5,000 3.7632 18816
    10,000 3.6456 36456
    25,000 3.528 88200